超薄窗膜和陽極鍵合技術
蘇州譜摩科技有限公司提供的超薄PI窗膜，其膜厚度小于0.6um，強度是傳統聚丙烯膜的4倍，能高效地透過極軟X射線。該膜表面鍍有20nm厚的鋁膜，以實現導電功能，可用于構建流氣正比探測器電場。
產品概述
- 采用X射線熒光光譜法進行Be、B、C、N、O和F元素測量時，由于這些元素的特征X射線能量極低，僅為108eV~667eV，屬于極軟X射線，容易被材料吸收。為了確保這些特征X射線具有較高的透過率并提升探測器的量子效率，通常需要在探測器表面覆蓋一層超薄導電窗膜。
- 蘇州譜摩科技有限公司提供的超薄PI窗膜，其膜厚度小于0.6um，強度是傳統聚丙烯膜的4倍，能高效地透過極軟X射線。該膜表面鍍有20nm厚的鋁膜，以實現導電功能，可用于構建流氣正比探測器電場。
下圖為電子顯微鏡拍攝的超薄PI窗膜截面及測量厚度。
- 陽極鍵合技術利用高溫和直流電場，使硅與含可遷移離子的玻璃牢固結合，從而實現結構的高結合強度與優異界面性能。該技術廣泛應用于微電子、傳感器和半導體設備制造。
- 譜摩科技已掌握這一核心工藝，并成功應用于硅鍺彎晶的生產，同時在半導體等領域展現出廣闊的應用前景。